Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (1) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Yasunas A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
| 1. | 
Yasunas A. Low-temperature deposition of silicon dioxide films in high-density plasma [Електронний ресурс] / A. Yasunas, D. Kotov, V. Shiripov, U. Radzionay // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2013. - Vol. 16, № 2. - С. 216-219. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2013_16_2_24 One of the basic operations in the LED (light-emitting diode) chip fabrication technique is formation of dielectric coatings for the purpose of insulation and surface passivation of the LED structure. Oxides and nitrides of silicon obtained by physical or chemical vapor deposition techniques can act as such a coating. Low conformity of physical vapor deposition techniques limits the possibility of their application in a number of cases at LED mesostructures passivation. This work represents the results of experiments on silicon dioxide dielectric films deposition in the inductive coupled plasma under different operation conditions. The findings prove the possibility of low-temperature deposition of thick silicon dioxide films with high conformality by the HDPCVD (high-density plasma chemical vapor deposition) technique. | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |